OSI的光電提供了兩種紫外增強(qiáng)型硅光電二極管截然不同的的家庭。反轉(zhuǎn)通道串聯(lián)和平面擴(kuò)散系列。的器件這兩個(gè)系列是專為在的電磁波譜紫外區(qū)低噪聲檢測(cè)。逆溫層結(jié)構(gòu)紫外增強(qiáng)光敏展出100 ％內(nèi)部量子效率和有豐富經(jīng)驗(yàn)的弱光測(cè)量的理想選擇。他們有較高的分流電阻，低噪音，高擊穿電壓。在表面和量子效率的響應(yīng)均勻提高5至10伏的應(yīng)用反向偏壓。 Photocureent非線性集在反演層相比，擴(kuò)散的產(chǎn)品低光電流。低于700nm之間，其響應(yīng)度隨溫度不大。

平面擴(kuò)散結(jié)構(gòu)(紫外線- D系列)紫外線增強(qiáng)光電二極管顯示顯著的優(yōu)勢(shì)超過逆溫層設(shè)備，如低電容和更高的響應(yīng)時(shí)間。這些器件表現(xiàn)出線性度的光電流最多較高的響應(yīng)時(shí)間。這些器件展出線性的光電流至更高的光輸入功率相比，逆溫層器件。他們有相對(duì)較低的響應(yīng)度和量子效率相比，逆溫層設(shè)備。

有兩種類型的平面擴(kuò)散紫外線增強(qiáng)光電二極管可用： UVD技術(shù)和機(jī)UVE 。這兩個(gè)系列都幾乎相同的光電特性，除了在機(jī)UVE系列，其中的設(shè)備近紅外反應(yīng)被抑制。這是特別可取的，如果堵住了光譜近紅外區(qū)是必要的。 UVD技術(shù)設(shè)備的峰值970 nm和在720 nm的(見圖表)機(jī)UVE設(shè)備。這兩個(gè)系列可能會(huì)偏向低電容，更快的響應(yīng)和更寬的動(dòng)態(tài)范圍。或者，他們可以工作在光伏(無偏)需要隨溫度變化的低漂移的應(yīng)用模式。本機(jī)UVE器件具有比的UVD設(shè)備同行更高分流電阻，但有較高的電容。這些探測(cè)器的耦合中的電流模式配置運(yùn)算放大器理想如上所示；應(yīng)用于：

• 脈沖檢測(cè)器
• 光通信
• 條碼閱讀器
• 光學(xué)遙感控制
• 醫(yī)療設(shè)備
• 高速光度法